Rolando Burgos Valenzuela, Ingeniero Civil Electrónico UdeC, y quien trabaja desde el 2002 en Virginia Tech, fue nombrado profesor de la mencionada universidad norteamericana (equivalente a profesor titular), resultado de su excelente trabajo académico y de investigación, y que corresponde al grado más alto al que se puede aspirar en base a mérito.
Burgos, quien es Doctor en Ingeniería Electrónica de nuestra universidad, se unió al Centro de Sistemas Electrónicos de Potencia (CPES) en el Instituto Politécnico de Virginia y la Universidad Estatal (Virginia Tech), en Blacksburg, VA, como becario postdoctoral (2002), donde trabajó como investigador y profesor asistente de investigación, principalmente involucrado en el desarrollo y síntesis de convertidores electrónicos de potencia de alta densidad y sistemas de distribución, asesorando a varios doctores y estudiantes de magíster en CPES.
En 2009 se trasladó a ABB Corporate Research, en Raleigh, Carolina del Norte, convirtiéndose en científico principal en 2010. Ese mismo año fue nombrado profesor adjunto en el Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática de la Universidad Estatal de Carolina del Norte (NCSU). Mientras estuvo en ABB, participó en el desarrollo de plataformas de conversión multinivel para aplicaciones industriales y de red de media tensión.
En 2012, Rolando Burgos regresó a Virginia Tech como profesor asociado, tanto en el CPES como en el Departamento Bradley de Ingeniería Eléctrica y Computadores, siendo ascendido en junio pasado al grado de profesor titular.
Además, desde 2017 es miembro de la Junta Ejecutiva de CPES. Sus intereses de investigación incluyen la conversión de potencia modular de múltiples niveles y múltiples fases, aplicaciones de electrónica de potencia de red, convertidores de potencia de alta densidad de potencia, la estabilidad de los sistemas de potencia electrónicos de CA y CC, modelado jerárquico, teoría y aplicaciones de control. Ha co-dirigido y participado en más de 80 proyectos de investigación patrocinados en esta área, y ha sido coautor de más de 460 publicaciones técnicas revisadas por pares, incluidos más de 80 artículos de revistas. Ha recibido siete premios a mejor artículo.
Foto: Virginia Tech Daily
Con tan solo 46 años, Rolando además es el presidente del comité técnico sobre «Tecnologías centrales de control y potencia» de la IEEE Power Electronics Society, y editor asociado de IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, y el IEEE Cartas de electrónica de potencia. Es miembro de IEEE Power Electronics Society, Industry Applications Society, Industrial Electronics Society y Power and Energy Society.
¿Cuáles son tus responsabilidades en Virginia Tech?
“Mi tiempo está dividido en conducir investigación (70 %), hacer clases (20 %) y coordinar CPES (10 %) donde soy miembro de la junta ejecutiva, junto a Dushan Boroyevich Khai Ngo y Qiang Li”.
¿Cuáles son tus futuros desafíos?
“Avanzar la tecnología de electrónica de potencia de alta frecuencia, alta tensión, y alta temperatura para aplicaciones industriales, de transporte y militares”
Finalmente, la UdeC está celebrando sus 100 años, pero ahora estamos mirando el futuro. ¿Qué mensaje/consejos podrías dar a los futuros ingenieros UdeC?
“Es fundamental aumentar la cooperación e innovación con la industria local”.
Las áreas de investigación de Rolando son:
– Diseño y desarrollo de convertidores modulares en media tensión y de alta densidad de potencia utilizando dispositivos SiC MOSFETs de 10 kV para aplicaciones industriales de conexión a la red, de accionamientos, de microredes de media tensión, y para aplicaciones marinas.
– Diseño y desarrollo de convertidores en media tensión utilizando conexión serie de dispositivos SiC MOSFETs de 1.7 a 10 kV para inversores de generación fotovoltaica y aeolicos en sistemas de distribución utilizando gate-drives activos
– Diseño y desarrollo de inductores y capacitores de alta densidad de potencia en media tensión compatibles con convertidores en base a dispositivos SiC
– Diseño y desarrollo de gate-drivers inteligentes con protección y control integrado en base a FPGA para dispositivos SiC de 1.2 kV, 1.7 kV, 3.3 kV y 10 kV de alta inmunidad electromagnética
– Contención y mitigación de interferencia electromagnética (EMI) en convertidores en base a SiC y GaN incluyendo modelación y diseño de filtros
– Diseño y desarrollo de sistemas de aislación para componentes activos y pasivos en media tensión con descarga parcial suprimida (buses dc, bancos de capacitores, inductores, fuentes de poder, módulos semiconductores, y otros)
– Diseño y desarrollo de fuentes de poder integrada con alta inmunidad electromagnética con capacidad para transientes de voltaje > 100 V/ns en base a dispositivos GaN con frecuencias de conmutación > 1 MHz
– Desarrollo de módulos semiconductores para aviación en base a dispositivos SiC para operación en temperaturas de 250 C (Tj = 300 C )
– Desarrollo de módulos semiconductores integrados para autos en base a dispositivos SiC y GaN de alta corriente (200-400 A)
– Desarrollo de convertidores resonantes dc-dc con aislación de alta frecuencia de alta densidad de potencia en base a dispositivos GaN
– Desarrollo de convertidores modulares con filtros de armónicas y EMI modulares tipo «building-block»
– Diseño y desarrollo de unidades de medición de impedancias dc o en ejes d-q para sistemas eléctricos monofásicos, trifásicos y continuos de 230 V and 4,1600 V en base a dispositivos SiC
– Estudio de estabilidad de convertidores e interacción entre convertidores en sistemas de transmisión y de distribución en base a impedancias en ejes d-q para determinar el impacto, entre otros, de conexión de inversores fotovoltaicos, operación de múltiples STATCOMs,
– Desarrollo de control de inversores conectados a la red con capacidad para autosincronizarse o «formadores de red»
